接枝率測定原理-低場(chǎng)核磁技術(shù)
納米顆粒表面改性之接枝率測定原理
納米級二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好，比表面積大，親水性、力學(xué)補強性、增稠性及防粘結性等特性，廣泛應用于電子封裝材料、高分子復合材料、塑料、涂料、橡膠、顏料、 陶瓷、膠黏劑、玻璃鋼、藥物載體、化妝品及抗菌材料、油墨等領(lǐng)域；
評價(jià)SiO2納米材料表面改性的接枝率測定原理
二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態(tài)的羥基不飽和殘鍵，親水疏油，易于團聚，必須要對其進(jìn)行功能化改性，以提高性能及應用范圍。
二氧化硅表面改性的目的主要有以下3個(gè)方面：
一是改善或提高二氧化硅納米顆粒在介質(zhì)中的分散性及相容性。因為表面修飾后的納米顆?？梢詼p弱表面活性羥基的帶電效應和表面的親水性，所以可以有效防止顆粒團聚；
二是通過(guò)表面修飾，在二氧化硅表面接枝活性基團，提高或者控制其表面活性，從而為納米粒子的進(jìn)一步接枝或者功能化提供了可能性；
三是拓寬二氧化硅納米顆粒的應用范圍，表面修飾后的納米顆?？梢援a(chǎn)生新的功能，如藥物運輸和釋放，刺激響應性等。
低場(chǎng)核磁技術(shù)接枝率測定原理：
LU等科學(xué)家采用多洛倫茲分裂算法將游離PEG的NMR信號與接枝的NMR信號區分開(kāi)，從而可以使用1H-NMR對接枝過(guò)程進(jìn)行原位監測。低場(chǎng)核磁技術(shù)接枝率測定方法的優(yōu)點(diǎn)是不受接枝基團末端官能團類(lèi)型、表面化學(xué)性質(zhì)、納米粒子或組成的限制，它還為相關(guān)科學(xué)研究提供表征納米顆粒上基團接枝密度的關(guān)鍵和標準指南。
針對固體顆粒樣品，也可以使用固體核磁技術(shù)通過(guò)化學(xué)位移氫譜對接枝率進(jìn)行定量表征，不過(guò)大家都知道固體核磁相對成本較高，對使用者要求較高。
低場(chǎng)核磁技術(shù)接枝率測定方法的優(yōu)勢：
低場(chǎng)核磁技術(shù)因為其設備成本較低，使用簡(jiǎn)單，適用于宏觀(guān)樣品等特性，非常適用于快速測定顆粒表面接枝率測定。它通過(guò)MSE系列序列實(shí)現死時(shí)間內的1H核磁信號采集，zui大程度的采集到了接枝在顆粒表面的基團中H原子核的信號，利用外標法進(jìn)行定量分析。
低場(chǎng)核磁
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